热管理解决方案

为满足全球对性能更优、速度更快、尺寸更小的器件的需求，半导体行业持续开发新工艺和新前驱体。这些复杂化学体系通常需要同时控制多个参数，才能实现可靠的工艺表现，其中包括对气体分配系统实施严格的热管理。

我们经验丰富的工程团队能够应对客户独特而复杂的挑战，确保满足客户对重复性和质量的要求。通过这些细致工作，我们从初始设计阶段便能规划适用于大批量制造的解决方案。

我们具备先进且可定制的测试与表征能力，可在内部完成所有新产品的全面测试。通过环境受控的实验室和可调节的外部气流，我们能够模拟客户设备的机柜环境。我们使用 N2 气流模拟工艺气体，每秒可测量多达 80 路温度输入。此外，我们也提供客户现场测试服务。

这些能力帮助客户缩短腔室启动时间，并使其更稳定地按照目标工艺条件运行。

随着半导体制造所使用的化学元素不断增多，向工艺设备输送前驱体的方式也在扩展。过去数十年，前驱体通常由远端集中供应系统或大型前驱体容器输送。如今，前驱体成本高昂，推动了设备端小型前驱体容器的使用。充分、高效地利用前驱体以降低运行成本至关重要，而这只有通过精确温控才能实现。

我们的前驱体容器加热器采用定制设计，能够提供所需的温度分布，最大限度提高前驱体利用率。凭借精简且灵活的开发流程，我们能够快速提供解决方案，满足您的工艺开发需求。

控制气体离开腔室后发生的反应，一直是半导体行业面临的挑战。随着原子层沉积（ALD）、单腔室多层材料刻蚀等工艺日益普及，这一挑战更加突出。与传统化学气相沉积（CVD）和刻蚀工艺相比，这些新工艺中排出腔室的未反应化学物质更多，使排气管路内发生反应以及颗粒倒流进入腔室的风险显著增加。将系统热管理和控制范围延伸至排气管路，可消除这一风险。

我们定制设计的排气管路加热器可确保所形成的温度分布防止设备端整段排气管路发生沉积和反应。我们能够快速完成设计、表征和测试，并按客户所需时间交付所需产品。

要防止颗粒和气相冷凝影响半导体工艺，气体输送路径的各个区段都必须保持目标温度。我们的定制热管理产品覆盖气体输送中的所有关键环节，包括气体面板进出管路、气体面板内部部件以及工艺腔室部件。我们以快速的设计和制造周期提供优化方案，并开展完整的温度分布表征，与客户的产品开发节奏保持一致。

我们可针对您的焊接管路组件设计气体管路加热器，提供以下选项：

• 可拆卸式或集成式设计
• 管路均匀加热或梯度温控
• 单区或多区控制

针对气体面板中的 MCF、阀门、调压器、传感器和过滤器，我们的解决方案具备以下特点：

• 无缝集成至表面安装式气体面板
• 贴合部件外形，适应复杂几何结构

通过为腔室提供辅助热管理，可实现：

• 以较低成本满足 SEMI S-2 的接触温度要求
• 提供预热功能，缩短腔室 green-to-green 时间

半导体设备的复杂性不断提高，聚焦工艺开发并扩展基础晶圆传输平台的能力至关重要。随之增加的热管理需求，可能需要系统新增输入和输出通道，以实现相应控制。

气体输送和排气管路加热器通常无需由设备端统一控制。我们的温度控制方案将控制器集成到加热器电源输入端，实现就地温度管理。控制器采用热电偶测温，并通过带反馈 LED 指示的固态继电器进行电源开关控制。固态控制可提高精度、延长加热器寿命，与机电式控制方案相比，可实现更高的成本节省。直通式 UTA 和 OTA 可完全集成到控制器架构中。

精确控制晶圆温度是半导体工艺的基本要求。将温控功能集成到腔室中可能面临多项挑战，包括严苛的环境和严格的等离子体均匀性要求。因此，热电偶可能需要耐受腐蚀性化学物质，或采用复杂的几何结构。

我们最初从事特种射频（RF）双屏蔽热电偶的开发，产品已证明能够耐受极具挑战性的环境。我们的设计可选用 300 系列不锈钢（SST）、镍或 Inconel 合金作为护套材料，并选用氮化钛或氧化铝作为端部材料。此外，我们还提供单测温结或双测温结配置。我们经常设计几何结构高度复杂的热电偶，以满足受限安装条件和高能射频环境下的使用需求。每件产品均经过完整表征和测试，包括按照国家标准与技术研究院（NIST）标准进行温度校准。